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2019年12月24日
作者 拓墣產研
功率半導體晶圓製造代工大廠漢磊，公布 2019 年第三季營收情形，由於 2019 年前 3 季市場遭遇去庫存及市況不佳等因素影響，第三季營收為 1.24 億美元，年減 21.2%。
面對大環境不佳挑戰，漢磊總經理莊淵棋表示：「2019 年第三季開始，營收表現將谷底反彈，並且隨著功率半導體需求逐季回穩；預計到 2020 年第二季，整體產能利用率有機會回升至九成。」
現行功率元件由於成本考量，以矽與碳化矽晶圓並搭配磊晶技術為主流
由於功率半導體所需的操作電壓較大，傳統矽（Si）元件因本身材料特性，崩潰電壓值（Breakdown Voltage）難以承受數百伏特以上，因而元件材料逐漸改由第三代半導體的寬能隙材料（碳化矽 SiC 與氮化鎵 GaN）取代；另一方面，由於晶圓（Substrate）成本與製程條件等考量，矽晶圓無論在尺寸、價格仍較碳化矽與氮化鎵晶圓大且便宜許多，所以為求有效降低晶圓成本，磊晶生成技術此時就變得格外重要。
目前製造功率半導體的主流晶圓，依然以尺寸較大、價格平價的矽晶圓為大宗；而可承受高電壓但尺寸稍小、價格稍貴的碳化矽晶圓則為次要。選定晶圓材料（矽或碳化矽）後，即可透過 MOCVD 或 MBE 機台，成長元件所需碳化矽或氮化鎵磊晶結構；隨後再進行相關半導體前段製程（薄膜、顯影及蝕刻）步驟，最終完成 1 顆功率元件。
全球資料中心與 5G 基地台建置需求，引領功率 IDM 廠與代工廠營收動能
根據現行功率半導體發展情形，目前主要以氮化鎵及碳化矽等第三代半導體材料為主。其中，國際 IDM 大廠如英飛凌、科銳（Cree）、II-V 等投入動作最積極，且相關廠商正試圖搶占全球寬能隙材料磊晶生成與晶圓代工等市場。
近期搭上伺服器資料中心與 5G 基地台設備建置需求，預估到 2019 年第四季，國際 IDM 大廠於功率半導體與電源管理晶片等訂單需求將逐步提升，因而帶動底下製造代工廠商相關產能跟著擴張。跟隨此發展趨勢，漢磊為第三代半導體中的製造代工大廠，雖然 2019 年前 3 季營收市場狀況表現略有不佳，但隨著近期 IDM 大廠的逐步轉單挹注，將驅使提升整體產能利用率，對於後續經營發展將有一定程度的助益。
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