【搶購半導體生產設備，2023 年中國進口金額達近來次高】

TechNews科技新報

2024年01月23日

作者 Atkinson

隨著美國與相關國家對中國半導體晶片出口的加強管制，中國相關企業為因應趨勢而加大投資，企圖能自行生產半導體晶片等產品，也造成相關半導體產業積極發展。如此，使得 2023 年中國半導體生產設備的進口量大幅增加，達到了 2015 年以來的次高水準。

根據中國海關數據的統計，中國 2023 年用於製造半導體晶片的設備進口金額成長 14%，達到近 400 億美元，這是自 2015 年有記錄以來的第二大進口金額，凸顯了中國廠商預期未來相關設備無法獲得的憂慮。現階段，中國半導體公司正在迅速投資新的半導體工廠，試圖提高自我生產能力，以規避美國及其盟國實施的出口管制。

根據統計，2023 年在新的出口管制宣布之前，中國從荷蘭進口半導體設備量猛增。這是因為企業在荷蘭限制措施執行之前紛紛搶購，造成了 2023 年 12 月從荷蘭進口的半導體曝光設備金額較 2022 年成長近 1000%，達到 11 億美元。

甚至，在這些限制措施生效之前，荷蘭 ASML 就應美國政府的要求取消了向中國運送部分頂級設備。2024 年 1 月初，ASML 稱荷蘭政府部分撤銷了先前頒發的 NXT:2050i、NXT:2100i 曝光設備在 2023 年發貨的許可證，這對個別在中國客戶產生了影響。

相關連結：https://finance.technews.tw/2024/01/23/chinas-import-value-in-2023-will-reach-the-second-highest-amount-in-recent-history/

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【小摩調高力積電目標價，慶祝行情拉抬一度飆漲停】

TechNews科技新報

2024年01月05日

作者 Atkinson

受到外資調升目標價的影響，晶圓代工大廠力積電在台股早盤一度恭上漲停板價位，每股新台幣 31.05 元，創近半年來股價新高。

SEMI 國際半導體產業協會日前發布最新報告指出，2022 年至 2024 年全球半導體業共有 82 座新晶圓廠投產，2024 年為新廠量產最高峰，共計有 42 座新廠加入，推升 2024 年全世界半導體晶圓廠總月產能首度突破 3,000 萬片 8 吋約當晶圓，創下新高紀錄。

SEMI 全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，全球市場需求走向復甦，加上各國政府獎勵措施，帶動主要晶片製造地區晶圓廠建設和設備投資大幅成長。此外，半導體策略牽動全球政經局勢影響性日益增加，也成為半導體產能成長的關鍵催化劑。

外資摩根大通表示，看好力積電未來的發展前景及市況，調高力積電目標價到每股 38 元，成長幅度達 34.5%。

相關連結：https://technews.tw/2024/01/05/foreign-investors-raise-target-price-of-power-semiconductor-manufacturing-co-ltd/

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【突破數十年技術障礙，科學家製出首個石墨烯半導體】

TechNews科技新報

2024年01月04日

作者 Emma stein

被認為永遠無法勝任半導體工作的石墨烯取得突破，來自喬治亞理工學院科學家領導的國際團隊，成功創造出全球首個由石墨烯製成的功能性半導體。

幾乎所有現代電子產品元件都基於矽半導體，隨著開發進程越來越精細，我們已接近矽的能量效率極限，使用這種材料製造更快、更強大電腦變得越來越困難。

這促使物理學家尋找新的替代性半導體。

現在，由喬治亞理工學院領導的國際團隊開發出第一個極其堅固的功能性石墨烯半導體，電子遷移率是矽 10 倍，具有矽不具備的獨特性能。

石墨烯（graphene）又稱單層石墨，本身由碳原子以 sp2 混成軌域組成蜂巢晶格，是一種堅固且用途廣泛的平面薄膜材料，可承受極大電流且不會升溫或分解。

科學家投入開發石墨烯半導體已十多年，挑戰在於材料「能隙」特性──半導體或絕緣體價帶頂端至傳導帶底端的能量差距，允許電子在分子周圍移動，簡單來說，利用工程手法加以調整的能隙是控制半導體導電、不導電的重要電子特性。

可是自然形式下，石墨烯既不是半導體也不是金屬，而是半金屬，它沒有能隙，因此科學家無法對各元素設計「正確比例」的開關以控制石墨烯半導體，許多人也認為石墨烯電子裝置永遠無法運作。

直到現在透過精密感應爐幫助，一群研究人員成功克服石墨烯研究幾十年來最大障礙，製造出「外延」石墨烯：在晶體（此實驗為碳化矽）上生長另一層與晶體化學鍵合的物質，產生能隙開始表現出半導體特性，其電子遷移率比矽高 10 倍，或者說電子以極低阻力移動。

石墨烯半導體效率更高，升溫幅度不大，能用來製造體積更小、速度更快的電子設備，也可能應用於量子運算，該團隊的樣品是目前唯一具備奈米電子學所有必要特性的二維半導體，其電學特性遠優於目前正在開發的任何二維半導體。

新論文發表在《自然》（Nature）期刊。

● Researchers Create First Functional Semiconductor Made From Graphene

● Graphene semiconductor steps toward ultra-fast computers

相關連結：https://technews.tw/2023/12/16/semiconductor-ai-net-zero/

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【中國今年開展 18 座新晶圓廠！SEMI：全球半導體月產能達 3,000 萬片】

TechNews科技新報

2024年01月04日

作者 姚 惠茹

SEMI 國際半導體產業協會公布最新一季全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast，WFF），全球半導體產能繼 2023 年以 5.5% 成長至每月 2,960 萬片晶圓（wafers per month，wpm）之後，預計 2024 年將增速成長 6.4%，突破 3,000 萬片大關。

最新一季全球晶圓廠預測報告顯示，2022 年至 2024 年預測期間，全球半導體產業計畫將有 82 座新設施投產，其中 2023 年及 2024 分別有 11 座及 42 座投產，涵蓋 4 吋（100mm）到 12 吋（300mm）晶圓的生產線。

有別於 2023 年的產能擴張溫和主要受到市場需求走緩，半導體受到庫存進入調整期所致，2024 年包含生成式 AI 和高效能運算（HPC）等應用推動，以及晶片在終端需求的復甦，加速先進製程和晶圓代工產能擴增。

SEMI 全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，全球市場需求走向復甦，各國政府獎勵措施，帶動主要晶片製造地區晶圓廠建設和設備投資大幅成長，而半導體策略牽動全球政經局勢影響性日益增加，成為半導體產能成長關鍵催化劑，預計 2024 年全球產能將成長 6.4%。

中國推升半導體產業擴展

受惠政府資金挹注和其他獎勵措施，預期中國將擴大其在全球半導體產能的占比，中國晶片製造商預計 2024 年將展開 18 座新晶圓廠，產能年增率將從 2023 年的 12% 提升至 2024 年的 13%，產能將從 760 萬片推升成長至 860 萬片。

台灣仍將維持全球第二大半導體產能排名，產能年增率分別為 2023 年的 5.6% 及 2024 年的 4.2%，每月產能由 540 萬片成長至 570 萬片，預計自 2024 年起將有 5 座新晶圓廠投產，而全球半導體產能排名第三的韓國，預計 2024 年將有 1 座新晶圓廠投產，產能將從 2023 年 490 萬片成長 5.4% 至 2024 年 510 萬片，至於產能位居全球第四的日本，預計 2024 年將有 4 座新晶圓廠投產，產能將從 2023 年 460 萬片成長至 2024 年 470 萬片，年成長率約 2%。

全球晶圓廠預測報告顯示，美洲地區到 2024 年將有 6 座新晶圓廠投產，晶圓產能年增率將達 6% 提升至 310 萬片，至於歐洲和中東地區在 2024 年將有 4 座新晶圓廠投產，預計將增加 3.6% 產能，達到 270 萬片，最後東南亞 2024 年將展開 4 座新晶圓廠投產，預計產能將增加 4%，來到 170 萬片。

晶圓代工領域產能持續強勁成長

晶圓代工業者合計將持續採購最多的半導體設備，引領半導體產業擴張，其產能提升將從 2023 年的 930 萬片，至 2024 年達 1,020 萬片的新紀錄，受到個人電腦和智慧型手機等消費性電子產品需求疲軟影響，2023 年記憶體領域產能擴張趨緩，DRAM 領域產能預計在 2023 年微幅增加 2% 至 380 萬片，2024 年則增加 5% 至 400 萬片；3D NAND 每月產能預計 2023 年持平，保持在 360 萬片，隔年則將成長 2% 至 370 萬片。

分離元件和類比領域，電動車進展仍是產能擴張的關鍵驅動因素，分離元件產能預計將在 2023 年成長 10%，達到 410 萬片，到 2024 年將成 長7%，達到 440 萬片，而類比領域產能預計將在 2023 年成長 11%，達到 210 萬片，到 2024 年則將成長 10%，達到 240 萬片。

相關連結：https://finance.technews.tw/2024/01/04/wpm/

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