TechNews
2019年07月31日
作者 Atkinson
晶圓代工龍頭台積電在先進製程上又有新的產品推出！根據國外科技媒體《anandtech》的報導，台積電目前已悄然推出 7 奈米深紫外 DUV（N7）和 5 奈米極紫外 EUV（N5）製程技術的性能增強版本。這兩種代號稱之為 N7P 和 N5P 的製程技術，其專門為需要 7 奈米設計運算更快，或消耗電量更少的客戶所設計。
報導指出，台積電的全新 N7P 製程技術採用與 N7 相同的設計規則，但是優化了前端（FEOL）和中端（MOL）架構，可在相同耗能下，將性能提升 7%，或者在相同的性能頻率下，降低 10% 的能耗。
而對於全新 N7P 製程技術，台積電最早是於 2019 年在日本舉辦的 VLSI 研討會上透露相關訊息。不過，對於這樣新的製程技術並沒有進行廣泛宣傳。目前，N7P 採用經過驗證的深紫外（DUV）光刻技術，與 N7 製程技術相比，該項技術沒有改變電晶體密度。而針對需要電晶體密度高出約 18% 至 20% 的台積電客戶，則預計建議使用 N7+ 或 N6 的製程技術。其中，N6 製程技術是透過極紫外（EUV）光刻技術進行晶圓的多層處理。
報導還進一步指出，除了 N7P 的新製程技術之外，台積電下一個具有顯著電晶體密度提升、並且改進功耗和性能的主要製程節點就是 5 奈米的 N5 製程技術上。台積電為此還提供了一個定名為 N5P 的性能增強版本。該技術採用 FEOL 和 MOL 優化功能，以便在相同功率下使晶片的運行速度提高 7%，或在相同頻率下將功耗降低 15%。
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