工商時報
2017年09月15日
記者涂志豪／報導
半導體材料供應商英特格（Entegris）昨（14）日宣布投資850萬美元，擴建在台灣新竹的台灣技術研發中心（TTC），擴建計畫包含專門開發過濾媒介的微汙染控制實驗室（MCL），同時也是亞洲應用開發實驗室（AADL）遷移後的新址，該實驗室加入全新的微汙染物分析與技術開發能力，將微汙染物、化學物質與過濾實驗室共設一室，有助縮短解決方案週期時間。
英特格台灣區總經理謝俊安指出，擴建計畫將擴大中心現有的研發、工業化生產和試產能力，同時建立單一的廠外合作據點，來滿足客戶夥伴對特用化學品、CMP（化學機械研磨）和液體過濾上的需求。此次 850 萬美元投資，主要擴展1000 級無塵室，擴大實驗室空間為 5 倍，同時進行設備升級。
另外，英特格也在SEMICON Taiwan展會期間發表多項產品。英特格新推出Integra堰式閥能為超純度大量化學品和 CMP 研磨液應用提升70％流量效能。這些閥是在今年7月推出，係針對半導體製程應用中的腐蝕性化學品所設計。新閥採用創新、單件且免黏著劑的隔膜設計，可直接將隔膜黏附在閥體做動器上，為真空應用省下隔膜分離，提高閥的使用壽命。
英特格也針對微影技術推出Oktolex薄膜技術，這項技術可應用在先進的使用點光微影技術上。Oktolex 的薄膜可針對各種化學品的需求，強化各種薄膜原本的攔截機制，過濾重要的光化學汙染物。Oktolex 薄膜將薄膜特性與特定汙染物的吸收機制作匹配，進而可將薄膜的過濾效能最佳化，且不會與化學品的組成產生不良反應，不僅抽吸速度更快，還能減少機台停機時間。
英特格也推出採用高階媒介的全新GateKeeper腐蝕性氣體純化器，更有效去除揮發性金屬與濕氣，能為半導體與晶圓製程提供同級最佳的出口純度。這款純化器採用的高階媒介，其特殊設計可同時去除18種不同氣體內的濕氣並捕捉揮發性金屬微粒，有助於提升晶圓產能。
英特格微汙染物防治部副總Chris Vroman表示，配管和管線等製程工具的金屬元件所造成的汙染，是腐蝕性氣體內汙染物生成最主要的來源。像是鉻、鐵、錳、鉬和鎳等過渡金屬，還有包括鈉、鈣和鋁等金屬族，都會使CMOS閘極堆疊衰退並縮短承載盒的使用壽命。最新的純化器媒介搭配內部Wafergard氣體過濾器使用下，可有效過濾這些腐蝕性氣體中的汙染物，避免其產能降低。
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