馗鼎奈米科技股份有限公司-Si-Plasma部落格: 2025/07

2025年7月29日星期二

【報告：電子業占全球 20% 貿易量，半導體等零組件貿易規模更勝終端產品】

TechNews科技新報

2025年07月11號

作者林妤柔

全球電子協會近期發布《互聯世界：動盪時代下的全球電子貿易》報告，發現零組件貿易規模超越終端產品，包括半導體、連接器與電池等零組件的跨境交易總額超過 2.5 兆美元，高於手機、筆電等電子終端產品的 2 兆美元。

換言之，電子原材料的貿易總值已超越終端產品，顯示出現今電子製造的高度複雜性、先進程度與專業分工。

此外，2023 年電子產業的商品貿易總額達 4.5 兆美元，占全球商品貿易總額的逾 20%，已經占現今全球五分之一的貿易量。相較之下，常被視為具有高度跨國供應鏈的汽車產業，在同年僅貢獻約 1.8 兆美元的全球貿易額。

以國別來看，中國 2023 年進口高達 6,300 億美元的電子零組件，超過美國、歐盟與新加坡這三大零組件進口國總和。這也凸顯即便是全球最大的電子終端產品出口國，也高度依賴全球的零組件供應。至於越南與印度等成長最快的電子終端產品出口國，也同時是電子零組件進口成長最快的國家。

其中，自2017 年至 2023 年，印度的電子零組件進口成長 122%，而越南則成長 83%。在中國之後，歐盟與美國是全球最大的電子終端產品出口國，同時也是僅次於中國的電子零組件進口大國。

全球電子協會指出，越南、印度與墨西哥在電子製造領域能快速崛起成為終端產品組裝中心，並非因為實現了完整的垂直產業鏈整合，而是成功嵌入了全球分工的生產網絡。換言之，目前貿易呈現「多元化」而非「脫鉤」。

其中，亞洲區內的貿易占亞洲電子零組件進口的 88%、電子終端產品進口的 69%，顯示出區域內密集的產業整合，而非供應鏈斷裂。在美國方面，對中國商品加徵關稅雖改變了採購模式，但並未真正切斷對全球零組件的依賴，只是將貿易導向其他替代夥伴。

至於主力為終端產品組裝的新興經濟體，如印度等國，能夠持續提升產能與競爭力的關鍵在於擴大其電子零組件進口。上游供應鏈的韌性，直接影響一國生產規模擴張與全球競爭的能力。各經濟體必須將其產業政策與關鍵零組件的國際採購策略緊密結合，才能強化全球競爭力。

全球電子協會「電子產業貿易流向研究計畫」，涵蓋約 150 個經濟體，針對電子原材料與電子終端產品進行細緻追蹤。所有數據來源皆來自聯合國 Comtrade 資料庫，即便各國資料發布時程不一，仍能提供一致且完整的分析基礎。

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【一台抵七台！AI伺服器升級潮帶旺PCB 金像電、欣興嗨翻天】

工商時報

2025年07月22號

作者工商時報楊絡懸

AI應用持續擴張，PCB產業逐步受惠於高階封裝及先進材料需求增加，從上游玻纖布（T-glass）、特殊銅箔開始喊漲，包括金像電、欣興、高技、精成科等台系PCB供應鏈廠商，皆可望在這波升級循環中受益。其中，AI伺服器的更新尤為關鍵，據法人估算，每一台AI伺服器的PCB產值可望較傳統伺服器提升5～7倍。

在高階封裝的發展趨勢中，多晶片封裝及HBM設計已成為主流，廣泛應用於高速運算及資料中心場域，推升ABF載板需求明顯上升。由於高階ABF板材需具備大面積、多層數與高密度布線能力，對材料規格要求同步提高，帶動PCB產業價值鏈持續升級。

產業人士指出，AI伺服器內部每顆GPU搭載一片由欣興提供HDI PCB（即OAM加速板模組），再針對2～8組OAM放置一塊更大的PCB板，也就是多由滬士電、金像電或健鼎供應的UBB（通用基板）。當AI伺服器數量趨勢增加，意味著HDI與UBB板的需求亦大幅放量。

另一方面，原材料端的銅箔基板（CCL）與高階玻纖布，亦出現結構性供需吃緊。

產業人士表示，由於日系玻纖布廠商近來調整生產線，專注於高毛利、用於800G網路交換器的低介電常數（Low Dk）與低膨脹係數（Low CTE）的特種高階材料，使市場供需缺口將擴大至10％以上；此外，業者預期自8月起IC載板關鍵材料的特種高階玻纖布將上調報價，漲幅上看20％，帶動一波成本反映與報價上行循環。

據悉，一般玻纖布每公斤報3～5美元，高階玻纖布每公斤報40～50美元，至於Dk／Df值低的特種高階玻纖布價格可望來到每公斤80～100美元，預期AI伺服器PCB毛利率隨之轉佳。

觀察個別廠商，金像電因網通PCB市占率達25％，自今年起陸續掌握美系四大CSP客戶AI伺服器訂單，隨400G及800G交換器需求爆發，營運動能逐季升溫；高技則受惠美系客戶訂單量增及800G量產周期，為網通大廠供應高階PCB，下半年訂單能見度高，營收表現可期。

2025年7月25日星期五

【AI 新十大建設部署矽光子，經部擬啟動試量產線】

TechNews科技新報

2025年06月28號

作者中央社劉千綾

為布局矽光子關鍵技術，經濟部規劃 4 年內投入新台幣 10 億元，除強化光晶片設計，並與世界先進合作開發矽光子製程元件庫，也透過光電量測實驗室提供回饋機制，加速業者產品開發，未來規劃展開試量產線，提供高階模組廠商少量多樣的試產服務。

政府打造人工智慧（AI）新十大建設，包括發展矽光子、量子與智慧機器人等技術。其中矽光子技術利用成熟的矽晶圓與半導體製程將電子元件與光學元件整合，可有效擴大晶片運算時傳輸速度，隨著 AI 高運算需求提升，已成廠商積極布局的關鍵技術。

經濟部 2017 年起投入矽光子先期研究，去年起啟動矽光子共同封裝光學元件（Co-Packaged Optics，CPO）計畫，4 年內將投入 10 億元，布局光晶片設計、高速封裝基板和光纖封裝測試，另外也搭配 A+ 計畫提供業者前瞻技術研發補助。

相關官員表示，由於光和電的物理特性不同，在晶片設計架構和製程就會不同。在光晶片設計方面，提供茂德光晶片設計專利，並與世界先進合作開發矽光子製程元件庫。同時，與日本三菱化學合作，開發下世代矽光子高速調變材料技術，並與新加坡 IME 合作加速晶片下線速度，以回饋本土晶片廠。

為降低中小企業驗證門檻，工研院成立光電量測實驗室，讓台灣業者在國內就可以進行矽光產品的驗證服務，涵蓋晶圓、模組等上下游廠商，降低驗證時間和成本，同時增加研發速度。

官員表示，矽光子 CPO 計畫涵蓋設備研發，協助封測設備國產化，由於廠商開發封測設備需要測試標的，因此可透過量測實驗室輸出矽光晶片或模組的數據，有利後續設備的開發。

知情人士指出，未來除持續推動矽光子 CPO 計畫外，也將升級光電量測實驗室，協助台廠驗證更高階的產品，涵蓋範圍不限於晶圓、模組業者，還會擴展到系統端，甚至服務到終端業者；緯創、友達等AI伺服器廠商逐步應用矽光子 CPO 技術，也可以來工研院測試。

知情人士表示，光電量測實驗室的守備範圍拉廣，工研院除了提供測試設備，也有回饋機制，透過設計、封裝和測試團隊，綜合回饋意見給業者，並提供整體解決方案，加速產品開發的進程。

此外，知情人士透露，工研院未來規劃展開試量產線，因為終端模組廠商需要把光晶片、電晶片、載板和光纖封裝等整合在一起，業者設計架構或模式可以先到工研院試做，進行少量多樣的試產，確定模式是對的，再繼續往下走。

產業積極布局矽光子關鍵技術，官員表示，SEMI 矽光子產業聯盟由台積電和日月光等倡議成立，針對矽光子元件設計、封測開發和設備等，業者透過平台在共同技術開發達成共識，串起台灣供應鏈一起「打群架」，讓台廠技術繼續領先全球。

【中國發表矽光子全光處理平台，全程高速不下交流道】

TechNews科技新報

2025年07月10號

作者蘇子芸

中國團隊研發出全球首款可程式化、單晶片全光訊號處理平台（AOSP），打破傳統矽光子需「光-電-光（O-E-O）」轉換的限制，讓資料從輸入到輸出全程維持光訊號狀態，邁向無需交換器的高速運算新架構。

中國華中科技大學、上海交通大學等機構組成的團隊宣稱，新平台有效降低傳輸損耗至僅 0.17 dB/cm，並實現四波混頻（FWM）下的高速邏輯運算，運作速率可達 100 Gbit/s。整合 136 個元件的晶片可同時處理 8 通道訊號，總處理能力達 800 Gbit/s，並支援多種調變格式如 Differential Phase Shift Keying 與 on-off keying，為實現全光網路奠定技術基礎，該研究也獲刊於期刊《Frontiers of Optoelectronics》上。

全光訊號處理（All-Optical Signal Processing，AOSP）是一種完全在光學領域內完成訊號處理、邏輯運算與再生的技術。相較之下，目前主流的矽光子技術仍多仰賴「 O-E-O（光-電-光）」架構，需先將資料從光訊號轉為電訊號，經由交換器處理後，再轉回光訊號進行傳輸，造成額外能耗與延遲，就像開在高速公路被迫先下交流道再重新上高速一樣。

AOSP 則不需要額外網通設備介入，能以極快速度與極低能耗完成資料運算。這使得它特別適合應對高頻寬、高併發（短時間內的高流量）的應用，例如AI訓練、量子通訊與 CMOS 整合系統。

雖然 AOSP 聽起來像是未來科技的夢幻藍圖，但為何至今尚未廣泛應用？關鍵在於材料限制。矽在高強度光照下，容易產生雙光子吸收（TPA）與自由載子吸收（FCA），導致訊號衰減與干擾。此外，矽本身的高折射率雖有助光波集中傳導，卻也因折射率差異過大而導致散射損耗與光學干擾，進一步增加設計與控制難度。

為突破這些技術障礙，研究團隊開發這款 AOSP 平台，將光濾波、邏輯運算與訊號再生功能整合於矽基晶片上，並透過優化波導設計、引入高Q值微共振器等方式，成功解決訊號衰減與干擾問題。

隨著矽光子製程持續進化，晶片上的光學元件正從過去的配角走向主角。未來若邏輯運算、資料路由甚至記憶體存取都能在光域中完成，交換器是否仍為必要組件，勢必將成為產業討論的焦點。

2025年7月16日星期三

【台積電持續受惠，7 奈米以下先進製程產能三年成長 69%】

TechNews科技新報

2025年07月02號

作者 Atkinson

兩年來人工智慧（AI）產業蓬勃發展，帶動市場對先進節點製程的需求，這是因為隨著不斷成長的大型語言模型（LLM）和大型推理模型（LRM）的發展，另外還有在各種應用程式中大規模部署 AI 推理。

國際半導體產業協會（SEMI）表示，到 2028 年，先進製造技術（7 奈米以下）產能將大幅成長。根據 SEMI 的研究顯示，2024 年末至 2028 年，12 吋晶圓的整體產量將以每年 7% 的速度成長。而到了 2028 年，全球 12 吋晶圓月產能將達到 1,110 萬片的規模，創下產業歷史新高紀錄。

至於 12 吋晶圓的產能成長還有一個主因，就是更複雜製程產能也迅速成長。7 奈米以下產能將成長 69%，從 2024 年的每月 85 萬片，成長到 2028 年 140 萬片，複合年成長率達 14%，比整體產能成長速度高出一倍。如果把先進節點製程的範圍再縮小，統計 2 奈米以下產能增加速度將會更快。將會由從 2025 年的每月不足 2 萬片，成長到 2028 年的每月超過 5 萬片，也就是產能增長了一倍多。

SEMI 強調，在此同時相呼應的是用於先進節點製程的生產設備的費用支出也急劇增加，預計從 2024 年的 260 億美元，增加到 2028 年的 500 億美元以上，年成長率達到 18%。其中用於 2 奈米及以下部分的生產工具，預計銷售金額更將飆升 120%，從 190 億美元增加到 430 億美元，顯見接下來先進節點市場需求的蓬勃發展。

【整合 Intel Smart Base 打造筆電電子紙觸控板，元太切入 AI PC 應用】

TechNews科技新報

2025年07月02號

作者陳冠榮

電子紙大廠 E Ink 元太科技打造電子紙創新應用，宣布運用英特爾的 Smart Base 技術、Innovation Platform Framework（Intel IPF）生態系統及 AI Assistant Builder，推出嶄新的筆電電子紙觸控板方案，可為 AI PC 打造低功耗的觸控顯示介面，提升使用者體驗價值。

這次在筆電觸控板區域導入的電子紙模組，不僅保留原有觸控操作的直覺性，更拓展第二螢幕的互動可能，在 Smart Base、Intel IPF 及 AI Assistant Builder 協助下，可實踐即時的邊緣 AI 應用，例如筆電的互動式鍵盤區上蓋，顯示常用的快捷鍵、系統提醒，以及生成式 AI 的文字或影像內容節錄、遊戲策略、客製化 AI 任務等等。

舉例來說，使用者可看見天氣狀態、備忘錄、會議逐字稿或者常態顯示資訊。在筆電關機時，也能展現個性化的機殼外觀。

由於電子紙具備類紙舒適視覺體驗、低功耗長續航、戶外可視性等特性，適合用於筆電等移動裝置的輔助顯示應用。

元太運用電子紙技術持續開發適用於各領域的創新應用產品，「透過 Intel Smart Base 生態體系提供的開發工具與參考架構，元太科技得以打造更貼合 AI PC 產品設計需求的輕薄模組，使電子紙在觸控板區域無縫整合於筆記型電腦，實現兼具節能省電、清晰顯示及創新互動的使用者體驗」，元太科技業務中心副總經理洪集茂表示。

2025年7月9日星期三

【IC設計、PCB 題材燒】

聯合新聞網

2025年06月24號

作者經濟日報記者盧宏奇／台北報導

台股昨（24）日拜避險情緒降溫，收復22,000點，盤面題材股積極表態，廣宇（2328）、信驊等IC設計與印刷電路板（PCB）兩大電子次族群強強滾，吸引買盤追價，法人預期後市仍有高點可期，建議趁震盪壓回時切入布局。

伊朗預告式象徵性攻擊美軍中東基地，降低雙方軍事衝突升級風險，加上美聯準會（Fed）官員釋出鴿派言論，激勵美股四大指數全數收高，台股昨日在外資強力回補291億元下，帶量收復5日、10日、月線、半年線等多道關卡。

盤面資金輪流點火，上漲家數比重高達83.7%，其中IC設計、PCB族群走勢相對整齊，包括廣宇、安國、定穎投控、信驊、M31、神盾、創惟、創意、台燿、南電、金像電、高技等強勢指標股，單日漲幅在3.8%至9.9%不等。

進入6月底，以往季底作帳走勢通常都可延續至次一季前半季的神盾集團，昨日由安國強勢拉抬表態，挾量攻頂收111元，自4月股災低點以來，漲幅超過80%，另一檔神盾傳出開發的人工智慧（AI）智慧感測器，近期將設計定案，股價漲6.3%。

鴻海集團旗下廣宇宣布，將透過併購歐洲機器人馬達公司切入機器人線束領域，昨日早盤攻上漲停收43.7元，克服上檔半年線反壓，並帶動法人認養的金像電、台燿等AI PCB股轉強，蓄勢挑戰前波高點。

展望後市，大型本國投顧分析，只要中東緊張情勢未釀成不可控局面，利空很快即能淡化，隨後盤勢回歸基本面，台股昨日跳空開高留下多方缺口，日KD指標於50附近企圖重新交叉，但周KD超買鈍化，操作避免追高並採短打靈活因應。

【專為碳化矽晶圓量產需求設計，國研院合作鼎極科技開發雷射研磨技術】

TechNews科技新報

2025年06月24號

作者 Emma stein

因應電動車、5G、低軌衛星等高效能電子元件日益增長需求，國研院國家儀器科技研究中心（國儀中心）與鼎極科技合作，共同開發「紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨製程」關鍵技術，成功提升碳化矽晶圓研磨速率與品質，降低製程成本與材料損耗。

碳化矽（SiC）為極具潛力的功率半導體材料之一，具備高電壓耐受性、高熱導電性、高化學穩定性等優異特性，已取代矽晶圓成為車用電源與驅動系統、太陽能光電變流器、充電樁、工業控制設備等核心元件材料首選。

但以碳化矽製作晶圓時，常在「研磨」步驟遭遇困境，由於碳化矽硬度極高（莫氏硬度 9.2），傳統研磨方式使加工效率、品質良率面臨瓶頸，不僅耗時、研磨損耗多，且因為機械性加工，容易在晶圓表面留下損傷痕跡，甚至導致整片晶圓破裂，嚴重影響晶圓良率、提升製造成本，因此業界普遍視碳化矽晶圓後段製程為量產瓶頸。

為解決此難題，國研院國儀中心與鼎極科技合作，成功導入紅外線奈秒級脈衝雷射系統，開發出專為碳化矽晶圓量產需求設計的「雷射研磨技術」，透過每秒 100,000 次擊打使碳化矽表層變軟，可將每片晶圓研磨時間從 3 小時縮短為 2 小時，且不會損傷晶圓，晶圓破片率自 5% 降至 1%，大幅提高產品良率，主要改善晶圓研磨/拋光、晶圓減薄與切割這兩段製程。

新技術能減少研磨過程造成的晶圓損耗，也明顯降低傳統研磨所需耗材（鑽石砂輪、水、油等）與機台清洗維護成本，裸晶圓研磨耗材成本自 23 美元降至 0.1 美元，同時避免機械研磨使用的鑽石顆粒受主要出產國中國箝制。

國研院進一步指出新技術還有另一優點，即可將碳化矽晶圓硬度由原本約 3000 HV 降至 60 HV，大幅降低後續加工時間和成本。

目前鼎極科技已與美國晶片製造商安森美半導體公司（ON Semiconductor Corp.）捷克廠合作，準備將機台推廣至歐洲。

2025年7月2日星期三

【SEMI：2028 年全球半導體月產能將創新高，估 1,110 萬片】

TechNews科技新報

2025年06月26號

作者中央社張建中

因應生成式人工智慧（AI）應用需求日益增長，全球半導體供應商加速擴張，國際半導體產業協會（SEMI）預估，2028 年全球半導體製造業月產能將達到 1,110 萬片規模，將創下歷史新高，2024 年至 2028 年複合成長率達 7%。

SEMI發布12吋晶圓廠展望報告指出，全球半導體製造業產能將維持強勁增長趨勢，其中，7奈米及以下的先進製程將是主要驅動力，月產能將自2024年的85萬片，擴增至2028年的140萬片，年複合成長率達14%，為半導體業平均水準的2倍。

SEMI表示，AI應用快速普及，刺激整個半導體生態系強勁投資，半導體業不僅促進技術創新，並滿足日益增長的先進晶片需求。

為了支援更大規模的AI模型，訓練能力需求日益強大，SEMI指出，AI推理亦是重要的成長動力。此外，AI在虛擬實境、擴增實境設備及人形機器人領域有所突破，也將在未來幾年保持對先進半導體技術強勁需求。

SEMI表示，半導體業的投資主要鎖定先進製程技術，預期先進製程設備資本支出將自2024年的260億美元，攀升至2028年超過500億美元，年複合成長率將達18%。

SEMI指出，半導體先進製程技術推進將持續加速，2奈米將於2026年量產，2028年展開1.4奈米商業化部署。對於2奈米及以下製程晶圓設備投資將顯著擴增，2024年約190億美元，預期2028年將進一步倍增至430億美元。

【新型 3D 晶片製造技術，使電子產品更快、更節能】

TechNews科技新報

2025年06月25號

作者 Emma stein

麻省理工學院團隊開發一種新製造方法，能以更低成本將高性能氮化鎵電晶體無縫集成至標準矽 CMOS 晶片。

氮化鎵（Gallium nitride，GaN）是僅次於矽的第二熱門半導體材料，也是下一代高速通訊系統與先進數據中心所需電子設備關鍵，為了獲得更高性能，科學家將 GaN 晶片與矽晶片相連，但焊接方法會限制 GaN 電晶體大小，若將整個 GaN 晶片整合至矽晶片，成本又非常高，因此商業化之路仍受限。

為解決此問題，麻省理工學院團隊最近開發一種低成本、可擴展的 3D 積層新技術，能將高性能 GaN 電晶體集成至標準矽 CMOS 晶片，且與現有半導體製程兼容，突破現有 GaN 應用限制，促進高速通訊發展，並有望推動量子運算等前沿科技。

該方法首先在 GaN 晶片表面建置許多微小電晶體，接著以精細雷射技術將每個電晶體切成240 x 410 微米大小，每個電晶體頂部有微小銅柱，再於零下 400 ℃ 環境將一定數量電晶體黏合至矽晶片上，從而保留 2 種材料的功能並明顯提升性能。

此外，GaN 電路由分散在矽晶片上的離散電晶體構成，還能降低整體系統溫度。

研究團隊利用此法開發功率放大器，成功實現比矽電晶體設備更高的訊號強度與效率，在智慧型手機中，這可以提高通訊品質，增加無線頻寬，增強連接強度並延長電池壽命。

這項研究展示了多重氮化鎵晶片與矽 CMOS 的三維整合能力，突破當前技術界限，有望帶來速度更快、更節能的電子產品。

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