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【產業新聞】PCB族群第3季業績報喜 盤中股價勁揚

中央社 2023年11月10日 作者  江明晏 印刷電路板（PCB）大廠陸續公布財報，受惠旺季效應，逐漸擺脫營運下滑陰霾，健鼎第3季EPS創史上最高，帶動今天盤中股價漲逾6%，華通、志聖、聯茂也漲逾4%。 受惠旺季效益，健鼎第3季每股盈餘（EPS）為新台幣4.07元，創史上最高，但因上半年市場需求疲軟，累計前3季每股賺8.07元，略低於去年同期的8.63元。健鼎今天股價由黑翻紅後一路走高，盤中勁揚逾6%，至198元。 HDI大廠華通、PCB設備商志聖盤中都漲逾4%，分別至57.4元、47.3元。上游銅箔基板（CCL）大廠聯茂也漲逾4%。 伺服器及網通板大廠金像電前3季每股賺4.96元，盤中股價也有3%以上的漲幅。 華通第3季開始進入客戶新品出貨旺季，稅後純益為16.8億元，季增180%，每股純益為1.41元，揮別上半年營運谷底，累計至第3季每股純益2.21元。 華通自7月以來營收逐步走強，10月營收73.19億元，為歷史第3高，看好第4季在3C產品各項電商促銷活動下，有機會維持營運高峰。 志聖今年第3季稅後淨利約1.69億元，較今年第2季季增119.5%，但年減約25%，累計前3季EPS為2.4元，近年積極開拓高階智慧製造與半導體領域，法人看好隨著市場需求轉好，逐步迎來轉機。 聯茂第3季歸屬母公司淨利2.4億元，季增459.5%，但年減15.2%，EPS為0.65元。聯茂預期，第4季營收可望續成長，明年全年將重返成長軌道。（編輯：趙蔚蘭）1121110 相關連結： https://www.msn.com/zh-tw/money/other/pcb%E6%97%8F%E7%BE%A4%E7%AC%AC3%E5%AD%A3%E6%A5%AD%E7%B8%BE%E5%A0%B1%E5%96%9C-%E7%9B%A4%E4%B8%AD%E8%82%A1%E5%83%B9%E5%8B%81%E6%8F%9A/ar-AA1jGAGg 【免責聲明】 本文章內容僅代表作者個人觀點，與馗鼎無關。 內容性、文字闡述和原創性未經本 站證實，對 本文章及全部或部分內容、真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，僅供讀者參考，請自行核實相關內容。 馗鼎奈米科技股份有限公司  Creating Nano Technologies,Inc. 59 Alley 21 Lane...
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【TPCA：AI重塑PCB版圖 台需強化高階先進封裝】

工商時報 2025年12月09號 作者 中央社 台灣電路板協會指出，AI驅動下，中國快速擴張、高階化持續提高市占，日本先進載板深耕半導體封裝，韓國鞏固記憶體與伺服器領域的主導優勢，台灣半導體、PCB在全球AI伺服器供應鏈中具關鍵地位，需深化先進封裝高階技術與材料自主能量。 台灣電路板協會（TPCA）今天發布新聞稿指出，與工研院產科所合作的「2025中國大陸PCB產業動態觀測」、「2025日韓PCB產業觀測」，分析東亞3大印刷電路板（PCB）生產國在AI世代下的產業變化。 報告指出，AI伺服器、高效運算（HPC）、資料中心與電動車的需求正全面重塑全球PCB產業，中國大陸、日本與韓國分別走向不同的成長模式，未來競合關係的變化將深刻影響亞洲電子供應鏈布局。 TPCA指出，中國大陸為全球第1大PCB生產國，陸資企業2024年全球市占率約34.9%，產值約為279.5億美元。2025年產值更可望成長至341.8億美元，年增率高達22.3%，市占率將提高至37.6%，展現具爆發性的成長動能。 報告分析，中國這波強勁成長來自AI伺服器、資料中心與新能源汽車等高階應用，使高階HDI與多層板需求急速放大，帶動整體產業加速升級。雖然全球地緣政治局勢仍具有不確定性，但中國大陸廠商在政策、市場與資金的支持下，正透過更高階的產品組合提升利基。 日本為全球第3大PCB生產國，報告指出，日資企業2024年產值約115.3億美元，全球市占率約14.4%。日本車用市場雖受到中低價競爭與歐洲景氣疲軟的壓力，但AI晶片與HDD相關應用需求走強，整體PCB產業仍維持成長動能。預估2025年日本PCB產業可望轉為正成長，海內外總產值將提升至118.2億美元，2026年更可達123.5億美元。 報告指出，日本PCB產業以FPC軟板為最大產品項目，2024年占整體產值比重約51.3%，而載板約占29.5%為第2大產品項目，反映長期深耕半導體與高階封裝領域的結構特性。隨著AI伺服器市場快速擴張，對ABF與AI晶片載板的需求也明顯升溫，突顯日本在AI晶片載板領域的地位。 其中，日廠Ibiden在AI GPU載板市場市占率高達7成；TOPPAN與京瓷則透過新產線與先進設備積極擴充ABF載板產能，以因應全球雲端服務商與半導體廠的下一輪需求。 韓國在全球PCB市場中位居第4，韓資企業2024年海內外總產值約78.6億美元...
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【技術資料】電漿蝕刻

圖片
電漿蝕刻 蝕刻係利用化學反應的方式吃出所需要圖案。利用水溶液的方式進行蝕刻又稱濕式蝕刻法，具有蝕刻速度快、等方向性蝕刻、蝕刻殘留液不易處理的後遺症等特性。因為其化學反應進行的方式發生在固體與液體接觸的地方，基本上只 要有固液交界就會產生蝕刻作用，並沒有太明顯方向上的選擇性，此所謂等方向性蝕刻，蝕刻出的溝槽深度與寬度比(aspect ratio)較小。電漿方式進行蝕刻又稱乾式蝕刻法，其反應較慢，但沒有殘液污染的問題，而且非等方向性蝕刻的特性為目前半導體製程主要的蝕刻方式。電漿蝕刻法係利用反應性氣體經過電漿解離活化產生具有蝕刻反應的粒子，包括離子、自由基或原子等，以含氟自由基蝕刻矽或二氧化矽為例，其反應如下式：Si(s) + 4F‧(g) →SiF4(g)SiO2(s) + CFx‧(g) →SiF4(g) + SiF2(g)+CO(g)+CO2(g)+COF2(g)+SiOF2(g)+O2(g)電子在蝕刻反應中雖然並不具有反應性，但就電漿產生的原理其會決定產生活性 粒子的分佈。自由基及原子並不受到電場影響，所以跟水溶液法比較接近，具有 部分等向性蝕刻的特性，見表一~三所示；而離子會受到電場吸引，所以其引發反應的方向會垂直於電場方向，因而其蝕刻出的溝槽的深度與寬度比大。綜合來說，電漿蝕刻法可利用調整電漿參數決定活性粒子的比例，進而決定產生反應的特性。選擇性高，不過因為利用氣相-固相反應較慢，但利於控制。 圖四、左圖為濕式水溶液蝕刻出的溝槽；右圖為電漿蝕刻出的溝槽隨著半導體製程不斷進步，導線間距縮小而需要的深寬比不斷提高，造成濕式蝕刻法不敷要求而面臨到淘汰的命運。不論從選擇性、反應控制與環保需求上各個方向的考量，目前半導體製程幾乎全面採用電漿乾式蝕刻法。不過另一個新興領域微機電系統(Micro Electro Mechanical System, MEMS)因為目前所需的製程條件較半導體製程需求來的低，而且，就蝕刻而言，需利用到濕式蝕刻來形成所需的立體圖案，這是乾式蝕刻無法達到的。以微機電系統常用到的懸臂樑感應器來說明，其圖形如圖五所示： 圖五、微機電系統懸臂樑感應器結構 由於乾式蝕刻的非等向性反應無法將懸臂下方的犧牲層去除，即所謂視線問題(Line of Sight Problem)目...
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