【從錫滴到電漿:ASML為何將EUV光源推向1000W?】
先進半導體競爭不只發生在線寬與晶片架構上,製程背後的光源技術同樣是影響量產效率的重要關鍵。 目前EUV微影設備主要利用雷射產生電漿技術:高功率CO₂雷射照射直徑約30微米的熔融錫滴,使其形成高溫電漿,進而釋放波長13.5奈米的EUV光。 根據Tom’s Hardware報導,ASML已逐步將EUV光源功率由約250W提高至約500W,未來更計畫朝1000W推進,同時將錫滴產生頻率提高至每秒10萬滴。 提高功率不只是追求更亮的光源。對半導體製造而言,更高且穩定的EUV輸出,有助於提升晶圓曝光速度與設備生產效率。然而,功率提升也伴隨電漿穩定性、錫碎屑、真空環境、反射鏡保護及精密控制等挑戰。 雖然EUV設備使用的雷射電漿,與低溫電漿、常壓電漿或電漿活化水屬於不同應用領域,但背後具有相似的產業邏輯:真正決定技術能否進入量產的,不只是「能不能產生電漿」,而是能否長時間穩定控制能量、反應環境與製程結果。 從半導體微影、表面改質到薄膜沉積,電漿正逐漸由單一製程工具,發展為高階製造不可或缺的基礎技術。對設備與材料供應商而言,未來的競爭重點也將從單一性能,進一步轉向穩定性、可重複性及量產整合能力。 資料來源: Tom’s Hardware 馗鼎奈米科技股份有限公司 Creating Nano Technologies,Inc. 59 Alley 21 Lane 279, Chung Cheng Road, Yung Kang City, Tainan, TAIWAN TEL:886-6-2323927 FAX:886-6-2013306 URL: http://www.creating-nanotech.com