馗鼎奈米技術部落格｜電漿設備、DLC鍍膜與表面處理新知

TechNews 2021年05月07日 作者 中央社 IBM 發表號稱全球首創的 2 奈米晶片製造技術，工研院產科國際所研究總監楊瑞臨表示，IBM 驗證了 GAA 新結構的可行性，將可加速 GAA 量產，是半導體業的大事。這可能增加台積電的競爭壓力，不過晶圓代工霸主的地位應不會動搖。 路透社報導，國際商業機器公司（IBM）表示，2奈米技術可讓晶片速度比當今主流的7奈米晶片提升45%，能源效率也將有效提升。 儘管2奈米晶片製造技術可能還要花上數年才能投入市場，不過，相較台積電2奈米在去年經過初步研究及路徑尋找後，目前進入製程技術研發階段，IBM搶先發表2奈米晶片製造技術備受各界關注。 楊瑞臨說，IBM這次發表的2奈米晶片製造技術是採用全新的環繞閘極（GAA）架構，驗證了GAA的可行性，將可加速GAA的量產及商品化時程。 三星去年宣布將在3奈米搶先導入GAA架構，楊瑞臨表示，IBM與三星合作多年，IBM在GAA架構發展獲重大突破，能否有助三星3奈米製程發展，值得觀察。 楊瑞臨說，台積電3奈米製程仍將持續採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，預計2奈米改採GAA架構，隨著IBM驗證了GAA的可行性，預料台積電也將加速2奈米製程開發與量產進度。楊瑞臨表示，GAA架構較FinFET架構不僅效能可以提升，耗能問題也可以改善，適用於筆記型電腦與伺服器等產品市場。只是新架構不僅要有設計工具、矽智財（IP）等生態系搭配，量產良率、成本與客戶接受度也都是挑戰，楊瑞臨說，由於台積電預計2奈米製程才會採用GAA架構，使得相關生態系廠商投入意願有限。 楊瑞臨表示，隨著IBM成功驗證GAA架構的可行性，三星與台積電可能加速發展GAA架構，料將帶動生態系廠商加速發展，進而推動GAA架構的量產與商品化，對半導體產業是一件大事。楊瑞臨認為，這可能使得台積電競爭壓力增加，不過，台積電具有多元客戶，將有助縮短學習曲線、快速提升良率及降低成本，且其堅持不與客戶競爭是長期來贏得客戶信任的關鍵，晶圓代工霸主地位應不會動搖。 相關連結：https://technews.tw/2021/05/07/ibm-tsmc-gaa-finfet/ 【免責聲明】 本文章內容僅代表作者個人觀點，與馗鼎無關。 內容性、文字闡述和原創性未經本站證實，對本文章及...

TechNews 2021年01月21日 作者 Atkinson 由於武漢肺炎疫情遲遲不見盡頭，也使得居家辦公與遠距教學的需求大增，在此情況下帶動的宅經濟爆發，使得市場對於半導體相關產品的需求量大幅提升，也造成整個供應鏈供不應求的情況。產業分析師分析，這波半導體晶片的供不應求情況，目前包括上游的矽晶圓，到 8 吋晶圓廠及 12 吋晶圓廠的產能，乃至於下游的封裝測試方面都呈現吃緊，甚至於缺貨的狀況。而且，預計到 2021 年底前都沒辦法有效改善，這樣的情況也成為未來疫情過後，整體產業復甦下的一項隱憂。 細數這波半導體晶片供不應求的情況，在上游的矽晶圓方面，雖然沒有晶片那樣龐大的缺貨壓力，不過仍呈現供應吃緊的狀態。就國內矽晶圓大廠環球晶來說，先前曾經指出，因為晶圓代工廠及記憶體廠 2021 年第 1 季產能利用率持續維持滿載的情況下，對於訂單的能見度已經由第 3 季末延續到第 3 季下旬，顯示矽晶圓需求同步回升。只是，在下半年矽晶圓可能供不應求的預期下，2021 年矽晶圓合約價將有機會逐季調漲，全年漲幅約達 10% 上下，使得市場看好環球晶 2021 年也將持續維持高檔。 在矽晶圓之後，目前市場最吃緊的晶圓代工產能部分，其中在 8 吋晶圓產能上，從 2020 年就已經傳出產能供不應求，並一直延續到 2021 年開年，市場甚至預期 2021 年底都沒辦法有效解決。產業分析師指出，目前已成熟製程為主的 8 吋晶圓廠產能，在 0.25 微米製程上，主要以生產半導體場效電晶體 (MOSFET) 及絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 為主，至於在 0.18 微米方面，則是電源管理 IC（PMIC）、大尺寸顯示驅動晶片 （LDDI）、指紋辨識 IC（Fingerprint）、以及圖像感測器（CIS）為大宗。 然而在宅經濟發燒，加上 5G 相關設備滲透率提升的情況下，對電源應用相關需求的產品，包括 MOSFET、PMIC、IGBT 的需求量大增，因而擠壓到其他相關產品的供應量，進一步造成市場的供貨不足狀況，不少業者都因拿不到貨而叫苦連天。 根據預估，2021 年全球將新增每月 22 萬片的 8 吋晶圓產能投入生產，使得到時全球 8 吋晶圓的總產能將超過每月 640 萬片。只是，這樣的產能似乎還無法完全紓解目前市場上的缺貨壓力。台積電董事長劉德音就曾經表示，202...

TechNews 2020年11月26日 作者 Atkinson ASIC 設計服務暨 IP 研發銷售廠商智原科技，26 日宣布其基於聯電 28 奈米嵌入式高壓（eHV）製程的記憶體編譯器，目前已獲多家行動裝置 OLED 顯示驅動器晶片大廠採用，多項專案陸續流片，為相關驅動晶片提供功耗、性能和面積優勢並加速整合設計，注入獲利動能。 智原表示，旗下的 28eHV 基礎元件 IP 組合，因具有「動態節能功能」及支援「彈性的客製能力」而受到客戶青睞。其 28eHV 標準元件庫內建多位元正反器組（MBFF），在設計時脈路徑上得以大幅減少動態功耗，特別適用於行動裝置應用。此外，為搭配不同長寬比的 OLED 驅動晶片，該 28eHV 單埠 SRAM 記憶體編譯器能因應客戶的需求而彈性提供不同的架構組合，加速產生所需要的文件、模型及電路設計。 智原科技營運長林世欽表示，由於高階智慧型手機 OLED 顯示螢幕需要大量的記憶體緩衝區來實現色彩的準確性，因此記憶體編譯器在 OLED 驅動器 IC 中至關重要。很高興提供 28eHV 記憶體編譯器解決方案，藉由聯電獨特的 28eHV 技術，客戶可以使用和 28 奈米邏輯製程相同的設計規則，加速高解析 OLED 顯示器的開發以取得市場先機。 智原 2020 年第 3 季繳出合併營收台幣 14.9 億元，較第 2 季增加 14.3%，較 2019 年同期減少 6.2% 的成績。單季毛利率為 47%，歸屬於母公司業主之淨利為 0.62 億元，每股 EPS 來到 0.25 元。累計，2020 年前 3 季營收為 40.65 億元，營業毛利 19.31 億元，營業淨利 1.25 億元，稅前淨利 2 億元，歸屬於母公司累計淨利 2.4 億元，累計每股 EPS 來到 0.99 元。而如今再有新產品獲得客戶青睞，預計將有助於提升智原營收動能。 相關連結：https://finance.technews.tw/2020/11/26/faraday-oled-driver-ic/ 【免責聲明】 本文章內容僅代表作者個人觀點，與馗鼎無關。 內容性、文字闡述和原創性未經本站證實，對本文章及全部或部分內容、真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，僅供讀者參考，請自行核實相關內容。 *****...

TechNews 2020年11月11日 作者 Atkinson 蘋果在 2020 年所舉辦的第 3 場新產品發表會中，終於亮相自研號稱當前全球性能最強大的處理器 – Apple M1 處理器。Apple M1 處理器與先前搭載在 iPhone 12 智慧型手機上的 A14 Bionic 處理器相同，都是採用台積電最先進的 5 奈米製程來生產。但是，Apple M1 處理器當中卻有高達 160 億個電晶體，較 A14 Bionic 處理器的 118 億個電晶體，還高出了超過 35%。因此，可以期待其未來搭載在新款產品上的效能展現。 根據發表會上的說明指出，不同於先前 A14 Bionic 處理器採用 6 核心的設計架構，Apple M1 處理器採用 8 核心的 CPU 設計架構，其中包含 4 個負責高效能運算的大核心，以及 4 個負責其他運算處理的效能核心。而這樣的 CPU 架構設計，與先前其他 x86 架構的處理器相較，其運算效能翻倍成長之外，還能提供最佳的每瓦耗能比，也就是耗能僅為其他 x86 架構處理器的四分之一。 而除了 CPU 之外，Apple M1 處理器在 GPU 架構設計方面，也採用了 8 核心的設計架構，能提供最高 2.6 TFLOP 運算效能，並同時執行多達 2.5 萬個執行續，使得使用者無論要進行流暢 4K 影音播放，或是到處理複雜的 3D 場景工作等，也就是無論多麼嚴苛的工作要求，Apple M1 處理器都能輕鬆處理。而且，與其他 x86 架構處理器的 GPU 核心相較，其所提供的運算效能可提升達到 2 倍以上，但每瓦耗能卻只有三分之一。 至於，在當前新推出的處理器中，大家所關心的人工智慧運算功能部分，Apple M1 處理器也內建專門處理人工智慧運算的 16 核心 NPU，透過每秒高達 11 兆次的運算效能，可協助進行機器學習等人工智慧的應用。另外，Apple M1 處理器內建有一個專門針對安全方面所設計的部分，以針對資訊安全的方面進行防護措施。而其他方面，Apple M1 處理器則也將支援 Thunderbolt 4、PCI Express Gen 4 介面，以及 NVMe 儲存等功能。 由於在本次的發表會中，蘋果一共展示了包括 MacBook Air、13 吋的 MacBook Pro、以及 Mac mini ...

TechNews 2020年10月06日 作者 TechNew 全球市場研究機構 TrendForce 針對 2021 年科技產業發展，整理十大科技趨勢。 2021 年三大 DRAM 廠：三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）除了持續往 1Znm、1 alpha 奈米製程轉進外，三星（Samsung）將率先跨入 EUV 世代，緩步取代現有的 double patterning 技術，以提升成本結構與生產效率。 2020 年 NAND Flash 疊堆技術突破 100 層後，2021 年繼續往 150 層以上推進，單晶片容量也將自 256/512Gb 推進至 512Gb/1Tb，透過成本改善吸引客戶將容量升級。在儲存介面上，PCIe Gen 3 已成主流，PCIe Gen 4 隨著新遊戲主機搭載以及 Intel 新平台的採用，預計市占率將自 2021 年起攀升，滿足高階 PC、server、data center 高速運算需求。 2020 年 6 月全球行動通訊系統協會（GSMA）發布最新 5G SA 部署指南（5G Implementation Guidelines：SA Option 2），進一步討論營運商部署之技術議題與 5G 於全球建置狀況。預估 2021 年起電信營運商將大力推動 5G 獨立（SA）組網架構，除提供高速和大容量通訊外，亦可根據應用程序定制網路和適用超低延遲網路需求。在 5G 技術展開之餘，日本 NTT DoCoMo、南韓 SK Telecom （SKT）等已開始關注 6G，強調未來有更多 XR 裝置整合（包括 VR、AR、MR、8K 和更多圖像），使用全像投影（Holography）交流將變得更為真實，遠端工作、控制、醫學、教育等有望得以推廣。 2021 年物聯網將以深度結合 AI 作為提升價值之主要核心，IoT 定義也從 Internet of Things 演化為 Intelligence of Things，透過深度學習與電腦視覺等工具的附加，讓 IoT 軟硬體應用全面升級；在綜合產業動態並考量經濟振興與遠端操作需求，將具體呈現於智慧製造與智慧醫療兩大垂直應用領域。以製造端來看，非接觸技術加速工業 4.0 的導入，在智慧工廠追求韌性、彈性及效率下，AI 將致力使 Cobo...

TechNews 2020年08月26日 作者 黃 敬哲 台積電近日在線上研討會上透露了有關於先進製程的大量資訊，目前剛量產的 5 奈米製程良率正迅速趕上 7 奈米，對於蘋果 A14X 晶片以及 AMD Zen 4 處理器都是非常好的消息。 通常半導體製程良率是隨著時間而下降，並獲得更高的產量，也就是學習曲線的概念。不過台積電表示，儘管 5 奈米是更先進的製程，但學習曲線表現比 7 奈米更好，使量產非常順利，而 5 奈米強化版製程 N5P 也即將於明年開始量產，性能將再度提高 5%，或功耗降低 10%。 基本上只要缺陷數低於 0.5 / cm 2 就算是合格的良率，目前已相當成熟的 7 奈米製程良率為 0.09 / cm 2，但才剛量產不久的 5 奈米製程就已達到了 0.1 / cm 2，顯示出比過往更好的學習曲線，這可能主是得益於 EUV 技術的應用，減少了製程步驟，原本需要 4 步 DUV 如今 EUV 能一次完成，降低了生產風險，如此下一季 5 奈米良率就將比 7 奈米更好。 目前來看 5 奈米將會給台積電帶來更強的競爭力，不僅如此，台積電還提供了最新 N4 製程的預覽，N4 除了通過減少掩模層來簡化製程外，還提供了一條直接遷移路徑，可以全面相容 5 奈米設計生態，預期將於明年底試產，2022 年實現量產。 而台積電下一代的 N3 製程將成為世界上最先進的邏輯技術，又會再度出現性能的飛躍與5 奈米相比將實現全節點的技術進步，性能再度提高15%、功耗降低 30%、邏輯密度提高 70%。但值得注意的是，3 奈米仍然會是 FinFET，這點倒是令市場相當意外，預計要到 2 奈米才會採用 GAA。 當然面對質疑，台積電也表示，經過與客戶的協商，3 奈米製程預期的成本及性能表現已受到廣泛的支持。儘管三星宣稱在 3 奈米將使用 GAA，但台積電仍相當胸有成竹。當然台積電仍在持續探索 3 奈米以下的技術，例如奈米碳管等新材料的應用，不過目前來看單一晶體管的性能提升已漸趨有限，需要更好的設計才能達到更高的效率。 相關連結：https://technews.tw/2020/08/26/more-and-better-tsmc-5nm-yield-rate-is-higher-than-7nm/ 【免責聲明】 本...

TechNews 2020年08月19日 作者 Atkinson 大家對於 2019 年由 Cerebras Systems 設計的 Wafer Scale Engine（WSE）AI 晶片應該記憶猶新，因為 WSE AI 晶片的面積達 4.6 萬平方公釐，幾乎與一整個 12 吋晶圓大小一樣。整合 40 萬個 AI 核心，1.2 兆個電晶體，是目前全世界最大的晶片。不過，這樣的紀錄要被打破了。打破紀錄的不是別人，就是 WSE AI 晶片自己，因為新推出的 WSE2 AI 晶片面積雖然沒有提升，但 AI 核心卻提升到 85 萬個，電晶體更是一口氣翻倍成長，達 2.6 兆個電晶體。 根據外電指出，開發出 WSE 系列 AI 晶片的 Cerebras Systems 是一家新興的 AI 晶片公司，其發展產品的邏輯不同於其他晶片公司，也就是為了滿足 AI 預算的高性能需求，因此放棄其他廠商晶片越小越好的思維，以盡可能生產大面積晶片為主。由於面積越大的晶片，其中能整合越多的核心與電晶體，其相對運算效能也越強，但也就提升了生產成本。2019 年 11 月份，該公司正式推出了 WSE 系列晶片的第一代，採用台積電 16 奈米製程，並以整個 12 吋晶圓來打造一個龐大的 AI 晶片。所以，WSE 系列晶片的第一代就整合了40 萬個 AI 核心，1.2 兆個電晶體，面積也高達 4.6 萬平方公釐。 雖然 WSE 系列晶片的第一代之後被順利生產出來，但是其造價不斐，可以想見的是會採購的單位或企業更是少之又少。最後，還是由美國政府旗下的美國國家科學基金會（NSF）出手相助，購買了兩套以 WSE AI 晶片為主的超級電腦 CS-1，總價約 500 萬美元（約新台幣 1.487 億元）。而有此價格推估每一個 WSE AI 晶片的價格約為 200 萬美元（約新台幣 6,000 萬元）。而就在之前採用了台積電 16 奈米製程的 WSE 系列晶片的第一代創造了奇蹟之後，現在新一代產品也問世。日前在年度的半導體盛會 Hotchips 32，正式發表了 WSE2 AI 晶片。雖然具體細節還沒有完全公布，但是因為採用了新一代的台積電 7 奈米製程，AI 核心數翻倍成長到了 85 萬個，而電晶體數量更是一口氣增加至 2.6 兆個。而在這樣的規格提升之下，運作效能也預計會大大的提升。 ...

TechNews 2020年08月09日 作者 中央社 台積電 5 奈米下半年將強勁成長，3 奈米預計 2022 年量產，並已研發 2 奈米，工研院產科國際所研究總監楊瑞臨認為，台積電製程 5 年內將稱霸晶圓代工業，3D 封裝是新挑戰。 全球晶片巨擘英特爾（Intel）7 奈米製程進度延遲，並可能釋出委外代工訂單；同時，手機晶片廠高通（Qualcomm）也傳出 5 奈米處理器可能自三星（Samsung）轉由台積電代工生產，讓台積電製程領先地位成為市場近期關注焦點。台積電繼 7 奈米製程於 2018 年領先量產，並在強效版 7 奈米製程搶先導入極紫外光（EUV）微影技術，5 奈米製程在今年持續領先量產，下半年將強勁成長，貢獻全年約 8% 業績。台積電 3 奈米製程技術開發順利，將沿用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，預計 2022 年下半年量產，台積電有信心 3 奈米製程屆時仍將是半導體業界最先進的技術。 為確保製程技術持續領先，台積電 2019 年已領先半導體產業研發 2 奈米製程技術，台積電目前尚未宣布量產時間，不過，依台積電每 2 年推進一個世代製程技術推算，2 奈米可望於 2024 年量產。楊瑞臨分析，儘管台積電 2 奈米製程將自過去的 FinFET 技術，改採環繞閘極（GAA）技術，台積電 2 奈米製程仍可望維持領先地位，以目前情況看來，台積電製程技術將再稱霸晶圓代工業至少 5 年。只是製程微縮技術即將面臨物理瓶頸，且價格成本越來越高，楊瑞臨說，3D 堆疊先進封裝技術將更趨重要，相關設備與材料問題都有待解決，這也是台積電的新挑戰。楊瑞臨表示，台積電在先進封裝領域著墨多時，自 2016 年推出 InFO 封裝技術後，至 2019 年已發展至第 5 代整合型扇出層疊封裝技術（InFO-PoP）及第 2 代整合型扇出暨基板封裝技術（InFO_oS），並開發第 5 代 CoWoS。 此外，台積電開發系統整合晶片 SoIC，以銅到銅結合結構，搭配矽導孔（TSV）實現 3D IC 技術，將提供延續摩爾定律的機會。楊瑞臨認為，台積電在先進封裝領域仍將領先對手三星。外資並預期，先進封裝將是台積電築起更高的技術與成本門檻，拉大與競爭對手差距的關鍵。 相關連結：https://technews.tw/2020/08/09/tsmc-w...

TechNews 2020年07月17日 作者 癡漢水球 「包水餃」不但是傳統技藝，更將是尖端科技。以《戰略緒論》一書聞名的近代法國戰略大師薄富爾曾說：「戰略的要義是『預防』而非『治療』，『未來和準備』比『現在和執行』更重要。」半導體業界亦同，當摩爾定律所預言的製程微縮曲線開始鈍化，將不同製程性質的晶片，透過多晶片封裝包在一起，以最短的時程推出符合市場需求的產品，就成為重要性持續水漲船高的技術顯學。而這些先進晶片封裝也成為超級電腦和人工智慧的必備武器。別的不提，光論 nVidia 和 AMD 的高效能運算專用 GPU、Google 第二代 TPU、無數「人工智慧晶片」，就處處可見 HBM 記憶體的存在。畢竟天底下沒有面面俱到的半導體製程，觀察到先進製程晶圓廠每隔 4 年成本倍增的「摩爾第二定律」，也突顯了電晶體單位成本越來越高的殘酷現實。AMD 處理器從 7 奈米製程開始全面性「Chiplet 化」，將 7 奈米製程的 CPU 核心和 12 奈米製程的 I/O 記憶體控制器分而治之，實乃不得不然。也因此，無論台積電還是英特爾，無不拚命加碼，相關產品也如雨後春筍一個個冒出頭來，而 AMD 更在未來產品計畫，大剌剌寫著「融合 2.5D 與 3D 的 X3D 封裝」（雖然大概也是直接沿用台積電的現有技術），以達成超過時下產品十倍的記憶體頻寬密度。 稍微替各位複習一下什麼是「2.5D」封裝，台積電擁有超過 60 個實際導入案例的 CoWos（Chip-on-Wafer-on-Substrate）算是這領域最為知名的技術，包含近期奪下超級電腦 Top500 榜首的 Fujitsu A64FX。英特爾用自家 EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）將 Kaby Lake 處理器與 AMD Vega 繪圖核心「送作堆」的 Kaby Lake-G，也曾是轟動一時的熱門話題。有別於「2D」的 SiP（System-in-Package），2.5D 封裝在 SiP 基板和晶片之間，插入了矽中介層（Silicon Interposer），透過矽穿孔（TSV，Through-Silicon Via）連接上下的金屬層，克服 SiP 基板（像多層走線印刷電路板）難以實做高密度佈線而限制晶片數量的困難。「疊疊樂」的 3D 封裝就不難...

TechNews 2020年07月13日 作者 Atkinson 台積電先進製程的部分，目前 5 奈米準備積極進入量產，3 奈米也將在 2022 年投產的關鍵時刻，更先進的 2 奈米製程也傳出取得重大進展，市場估計 2 奈米預計在 2023~2024 年量產的情況下，預計將能進一步鞏固全球晶圓代工龍頭的地位。 根據《經濟日報》的報導，台積電在 3 奈米製程決定以成本及良率的考慮，延用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，並取得全球的領導地位之後，更先進的 2 奈米製程預計將切入環繞閘極（GAA）技術，正式進入另一個全新的製程技術領域，而且預料在接下來的年度技術論壇中，台積電將會公布這項成果。不過，台積電對此並未做任何評論。 報導指出，雖然台積電自 2019 年公布，將以數百人的研發團隊正式投入 2 奈米的技術研發以來，至今沒有公布 2 奈米製程節點會選擇沿用 FinFET 技術，或者是改用 GAA 技術。不過，根據相關供應鏈表示，因為 FinFET 技術將自 3 奈米以下會面臨技術瓶頸，因此台積電才會在 2 奈米選擇採用 GAA 的技術。另外，因為競爭對手三星已經宣布自 3 奈米的製程節點開始，就採用 GAA 的技術，台積電的時程顯然落後三星，不過市場人士指出，就之前台積電也較三星晚採用極紫外光刻設備，但在製程良率上仍領先三星的情況下，台積電採穩扎穩打的務實性做法，於 2 奈米才採用 GAA 技術而落三星一個世代，預計還是能持續維持其優勢的地位。 報導進一步指出，這次台積電能在 2 奈米製程節點上有所突破，歸功於台積電挽留了 3 年前即要退休的台積電最資深副總經理羅唯仁。在他帶領的團隊為製程技術研發進行了突破，才有了當前的成果。為此，羅唯仁還為團隊舉行了慶功宴，以感謝團隊的辛勞。而根據日前台積電的公告，預計 2021 年動工，將於美國亞利桑那州設置的 12 吋廠將以 5 奈米製程為主，並將於 2024 年投產，月產能達到 2 萬片的產能。而這時間點對照目前台積電先進製程的發展計畫，屆時台積電在台灣部分已經 2 奈米進入投產階段，使得整體美國廠的完工，屆時將對台積電在台灣的先進製程訂單不會有所影響。 此外，日前也外傳，競爭對手三星也宣布將放棄 4 奈米的製程，直接投入 3 奈米製程與台積電面對面競爭。市場人士也表示，就台積電一旦真的如其...

TechNews 2020年04月06日 作者 TechNews 為了協助客戶做好專利迴避、完整提出該層電路圖找異常點（Defect），宜特 3 月 26 日推出獨家晶片去層技術，將樣品如魔術般放大，直接在晶片封裝（Package）還存在的情況下進行去層工程，不僅可以大幅提升工程上的良率，完整提出電路圖，還可衍生應用在合金 PAD、精密 IC 及其他無法取 Die 卻需要去層的晶片樣品上。 宜特觀察發現，隨著摩爾定律，製程演進至 7 奈米、5 奈米甚至達 3 奈米，晶片裡頭的 die，幾乎是接近螞蟻眼睛大小，一般人眼無法辨識。因此，希望藉由一般的晶片層次去除（delayer）來完整提取 die 裡頭每一層的電路，難度是非常高，硬是下去進行一般層次去除技術的後果，不只是良率偏低，更可能發生連 die 都去除到不見遺失的窘境。 宜特說明，以往一般的取 die 後去層的技術，會因為樣品過小等因素，導致 die 不見或 crack 而無法進行製程分析；當無法去層到金屬層（Metal）M1 時，記憶體（memory block）僅能以推測得知，電路模組分析圖亦無法完整繪製。 宜特的獨家去層技術，共分為三步驟，第一步驟，利用物理手法去除膠體，首先，在晶片封裝還存在的情況下，以物理方式去除晶片 die 正面多餘的膠體。相較以往須先去除 package 僅在裸 die 上去層，此法可在較大的面積 / 體積上施作，可大幅減少後續去層時 die 遺失的機率，並保持 die 面的平整度。 第二步驟則是機台去層，藉由離子蝕刻機，將 IC 護層（Passivation）與隔絕層（Oxide），用適當參數以離子蝕刻方式，將不需要的部分移除，藉由宜特獨家的控制參數方式，使得下層金屬層不受傷。 第三步驟，藥液去層，IC 護層（Passivation）被去除後，宜特再以藥水蝕刻，蝕刻該層需去除的金屬層，即可完整提出電路圖。 相關連結：https://technews.tw/2020/04/06/ist-delayer/ 【免責聲明】 本文章內容僅代表作者個人觀點，與馗鼎無關。 內容性、文字闡述和原創性未經本站證實，對本文章及全部或部分內容、真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，僅供讀者參考，請自行核實相關內容。 ...

TechNews 2020年03月09日 作者 Atkinson 近來，一直受到 14 奈米製程產能欠缺、10 奈米製程難產所苦的處理器大廠英特爾（intel），雖然 10 奈米 2019 年已趕上進度，但 14 奈米製程產能仍不足。之前陸續傳出英特爾要將部分產品交由晶圓代工龍頭台積電生產的消息，雖然英特爾與台積電不是第一次合作，英特爾 SoFIA 系列行動處理器就是交由台積電代工，但再次合作的消息目前還沒看到成果，市場又傳出，英特爾預計將旗下的自研得獨立顯示 GPU 交由台積電的 6 奈米製程來代工，且到 2022 年還將採用台積電 3 奈米製程生產。 據外媒《El Chapuzas Informatico》報導指出，之前英特爾財務長 George Davis 公開表示，針對 14 奈米製程的產能不足問題，英特爾 2020 年將增加更多產能來填補空缺。至於，10 奈米製程的部分，預計將不會像 22 奈米或 14 奈米製程那樣大規模產出，面對未來更多新產品的陸續出籠，先進製程的問題勢必要想辦法解決，故傳出英特爾要聯手台積電，將旗下自研獨立顯示 GPU 交由台積電 6 奈米製程代工，甚至到 2022 年還將採用台積電的 3 奈米製程來生產。 報導表示，相關消息來源指出，英特爾將於 2021 年開始採用台積電 6 奈米 EUV 製程生產旗下自研 GPU 及晶片組。為什麼會交由台積電生產 GPU，主因在 GPU 生產相對 CPU 簡單一些，且台積電在 GPU 生產也很有經驗。根據英特爾官方數據顯示，英特爾自研 Xe 架構 DG1 獨立顯示 GPU 使用自家 10 奈米製程技術，2020 年底上市，擁有 96 組執行單元，共 768 個核心，基礎頻率 1GHz，加速頻率 1.5GHz，還具 1MB 二級緩衝記憶體及 3GB 顯示記憶體，最大功耗 25W。外界傳聞性能方面，Xe 架構的 DG1 獨顯將在 Nvidia GeForce GTX 1050 和 GeForce GTX 1650 之間。 雖然 DG1 定位不算高階，但之後還會有 DG2 新世代獨立顯示 GPU 產品，外界預估 DG2 將是高性能 GPU。根據之前市場消息，英特爾 DG2 會採用台積電 7 奈米製程技術，但目前就市場消息來看，最終可能將採用台積電 6 奈米 EUV 製程。不過...

自由時報 2013年11月11日 記者陳梅英／台北報導 觸控面板廠第三季財報僅F-TPK（3673）獲利、勝華（2384）虧損擴大、介面（3584）轉盈為虧。展望第四季，F-TPK與勝華營收有機會成長，但恐怕連F-TPK也陷入虧損。觸控面板廠為此已有過冬準備，F-TPK與介面更積極轉型，宣布投入新的薄膜技術研發，奈米銀與Metal mesh（金屬網格）技術孰優孰劣，短期內將取代財報，成為觸控產業新話題。 觸控面板產業下半年在中國觸控廠產能開出後，大舉搶單，F-TPK雖然及早展開成本控制，前三季已精簡人員超過8000人，仍不敵中國觸控廠與鴻海（2317）集團投資的GIS價格競爭。F-TPK預告第四季營業利益率將降至2-3％，還要提列17-22億元的一次性資產與商譽損失，等於宣告第四季將陷入虧損。 F-TPK過去是觸控面板產業獲利的績優生，最好的時候一季獲利可達一個資本額，這回連績優生也獲利不保，對產業造成相當大的信心危機。 對此，F-TPK與旗下達鴻（8056）除了展開另一波產線集中計畫外，F-TPK還提出低價OGS方案，並與日本寫真和美國奈米銀材料廠Cambrios結盟，以奈米銀跨入薄膜觸控市場。 F-TPK表示，奈米銀不僅材料穩定，成本也低於ITO Film10-20％，初期將鎖定智慧型手機與平板市場，預期明年第二季可以量產。 介面則發表自主研發的Metal mesh產品，該公司強調，從材料、製程到化學配方全部自己來，具有成本優勢，且可做到超載邊框，超薄（50um），預計今年第四季將進入試產階段，明年首季量產。 【免責聲明】 本文章內容僅代表作者個人觀點，與馗鼎無關。 內容性、文字闡述和原創性未經本站證實，對本文章及全部或部分內容、真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，僅供讀者參考，請自行核實相關內容。 相關連結： http://www.libertytimes.com.tw/2013/new/nov/11/today-e5-5.htm **************************************************************************************** 馗鼎奈米科技股份有限公司 Creating Nano Technologies,Inc. ...

技術自主： 本公司將先進之電漿、材料技術研發團隊和精密機械與機電整合技術團隊結合在一起，是一個以技術研發為主之公司。本公司技術團隊能自行開發光電、 半導體 、封裝、鍍膜的設備與開發新製程與技術，包括近年來備受科技產業所重視之光電、通訊等設備與製程之發展都在本公司的規劃之下，這也是政府近年來極力推廣的目標之一，目的在使國內光電、半導體等高科技產業和傳統產業不再受制於國外昂貴之設備以及次等之技術移轉。目前國內鍍膜廠商，大都以採購國外設備與進口鍍膜技術為主，其並不具備自行開發新電漿設備與研發新薄膜製程的能力，無法對國內廠商所遭遇到製程上之問題提供解決方案。相反的，本公司是以專業之電漿、材料以及機電等技術為背景之團隊，是以研發新電漿技術和新薄膜製程為本公司之核心能力，所走的經營路線除了展示自行設計的國產機種的優秀功能外，將以技術服務來建立本公司與客戶間之關係。 客戶服務： 本公司將利用電漿與材料製程之專業知識，來解決客戶在製程上所遭遇到的問題，甚至瞭解其未來製程之需求，預先替其發展全新製程。如此，可協助國內各產業發展領先全世界之尖端技術，不再依賴國外技術輸入。同時，對客戶的教育訓練也是本公司的發展重點。從電漿、材料的基本原理到機電理論皆需詳加教育，破除國內各廠商之操作人員對機台及製程僅抱持一知半解之缺點，使其遇到製程上或設備上的問題能自行排除，進而培養其獨立思考之能力，提升該公司之整體員工素質及增進國內產業之創造與創新能力。 *********************************************************************** Creating Nano Technologies,Inc. 59 Alley 21 Lane 279, Chung Cheng Road, Yung Kang City, Tainan, TAIWAN TEL:886-6-2323927 FAX:886-6-2013306 URL: http://www.creating-nanotech.com ***********************************************************************