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2025年7月2日星期三

【SEMI：2028 年全球半導體月產能將創新高，估 1,110 萬片】

TechNews科技新報

2025年06月26號

作者中央社張建中

因應生成式人工智慧（AI）應用需求日益增長，全球半導體供應商加速擴張，國際半導體產業協會（SEMI）預估，2028 年全球半導體製造業月產能將達到 1,110 萬片規模，將創下歷史新高，2024 年至 2028 年複合成長率達 7%。

SEMI發布12吋晶圓廠展望報告指出，全球半導體製造業產能將維持強勁增長趨勢，其中，7奈米及以下的先進製程將是主要驅動力，月產能將自2024年的85萬片，擴增至2028年的140萬片，年複合成長率達14%，為半導體業平均水準的2倍。

SEMI表示，AI應用快速普及，刺激整個半導體生態系強勁投資，半導體業不僅促進技術創新，並滿足日益增長的先進晶片需求。

為了支援更大規模的AI模型，訓練能力需求日益強大，SEMI指出，AI推理亦是重要的成長動力。此外，AI在虛擬實境、擴增實境設備及人形機器人領域有所突破，也將在未來幾年保持對先進半導體技術強勁需求。

SEMI表示，半導體業的投資主要鎖定先進製程技術，預期先進製程設備資本支出將自2024年的260億美元，攀升至2028年超過500億美元，年複合成長率將達18%。

SEMI指出，半導體先進製程技術推進將持續加速，2奈米將於2026年量產，2028年展開1.4奈米商業化部署。對於2奈米及以下製程晶圓設備投資將顯著擴增，2024年約190億美元，預期2028年將進一步倍增至430億美元。

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【新型 3D 晶片製造技術，使電子產品更快、更節能】

TechNews科技新報

2025年06月25號

作者 Emma stein

麻省理工學院團隊開發一種新製造方法，能以更低成本將高性能氮化鎵電晶體無縫集成至標準矽 CMOS 晶片。

氮化鎵（Gallium nitride，GaN）是僅次於矽的第二熱門半導體材料，也是下一代高速通訊系統與先進數據中心所需電子設備關鍵，為了獲得更高性能，科學家將 GaN 晶片與矽晶片相連，但焊接方法會限制 GaN 電晶體大小，若將整個 GaN 晶片整合至矽晶片，成本又非常高，因此商業化之路仍受限。

為解決此問題，麻省理工學院團隊最近開發一種低成本、可擴展的 3D 積層新技術，能將高性能 GaN 電晶體集成至標準矽 CMOS 晶片，且與現有半導體製程兼容，突破現有 GaN 應用限制，促進高速通訊發展，並有望推動量子運算等前沿科技。

該方法首先在 GaN 晶片表面建置許多微小電晶體，接著以精細雷射技術將每個電晶體切成240 x 410 微米大小，每個電晶體頂部有微小銅柱，再於零下 400 ℃ 環境將一定數量電晶體黏合至矽晶片上，從而保留 2 種材料的功能並明顯提升性能。

此外，GaN 電路由分散在矽晶片上的離散電晶體構成，還能降低整體系統溫度。

研究團隊利用此法開發功率放大器，成功實現比矽電晶體設備更高的訊號強度與效率，在智慧型手機中，這可以提高通訊品質，增加無線頻寬，增強連接強度並延長電池壽命。

這項研究展示了多重氮化鎵晶片與矽 CMOS 的三維整合能力，突破當前技術界限，有望帶來速度更快、更節能的電子產品。

2025年7月2日 星期三

【SEMI：2028 年全球半導體月產能將創新高，估 1,110 萬片】

【新型 3D 晶片製造技術，使電子產品更快、更節能】

2025年7月2日星期三